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2SC5569 |
台湾友顺科技集团公司 |
NPN硅晶体管 |
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4~6周 |
3000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2310 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、N沟道增强型、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2313 |
南京微盟电子有限公司 |
双P沟道增强型功率MOSFET |
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2-4周 |
3000 |
3000 |
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立刻询价 >
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MEM2303-N |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2300 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、超大密度单元、极小的RDS(ON)、超小封装 |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2313 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、极低的栅极电荷、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2311 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管；极低的栅极电荷、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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2SB824 |
台湾友顺科技集团公司 |
PNP平面硅 |
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4~6周 |
2000 |
0 |
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MEM2309 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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MEM2303 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管；超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2301-N |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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MEM2301 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管；超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2301 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2301 |
南京微盟电子有限公司 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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2-4周 |
3000 |
3000 |
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立刻询价 >
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2SD1060 |
台湾友顺科技集团公司 |
NPN平面硅 |
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4~6周 |
2000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2302 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、N沟道增强型、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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2SA1012 |
台湾友顺科技集团公司 |
大电流开关 |
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4~6周 |
2000 |
0 |
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2SD1803 |
台湾友顺科技集团公司 |
NPN硅晶体管 |
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4~6周 |
2000 |
0 |
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USS4350 |
台湾友顺科技集团公司 |
NPN硅晶体管 |
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4~6周 |
3000 |
0 |
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2SD1624 |
台湾友顺科技集团公司 |
NPN硅晶体管 |
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4~6周 |
2000 |
0 |
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