MEM2313参数
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制造商
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南京微盟电子有限公司
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产品种类
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MOSFET
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产品特性
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双P沟道增强型功率MOSFET
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Vds（Max）-漏源极击穿电压
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-30V
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Id（Max）-连续漏极电流
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-6A
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Pd-功率耗散
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1.3W
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Vgs-栅源极击穿电压
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-20V
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Rds On-漏源导通电阻
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53mΩ
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封装
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SOP8
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代换型号
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/
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MEM2313概述
MEM2313系列是一款双管P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术，专门用来降低通导电阻。该器件非常适用于低电压应用。
MEM2313引脚图/引脚功能
MEM2313典型效率曲线
应用领域
• 电池保护
• 负载开关
• 电源管理
