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HM12N02D

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1个

【封装】:DFN2*2-6

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制造商: 深圳市华之美半导体有限公司 标准包装数: 1000
封装: DFN2*2-6 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道MOSFET

HM12N02D参数


 
   制造商
  深圳市华之美半导体有限公司
   产品种类
   N沟道MOSFET
   产品特性
  小型封装、负荷开关
   漏源电压VDS
   20V
  栅源电压VGS
  10V
   电流ID
   12A
   电流IDM
   40A
   导通内阻RDS
   11mΩ
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   DFN2*2-6
   替换型号
   AON2406/AON2408/AON2800/IRLHS6242

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