STT-MRAM藉着改变薄膜内的电子旋转方向、控制电流，表现效能和价格竞争力都优于DRAM。最重要的是，DRAM很难微缩至10 纳米以下，STT-MRAM则没有此一困扰。业界人士表示，STT-MRAM是次世代内存中最实际的替代方案，95%的现行DRAM产设备皆可用于制STT-MRAM。SK海力士和东芝也协力研发此一技术。
除了STT-MRAM，近来相变内存（PRAM）也备受瞩目，英特尔的3D Xpoint就包含PRAM技术。PRMA结DRAM和NAND Flash优点，速度和耐用性提高千倍，不过目前仍在理论阶段。
