CS120N08 AR参数
|
制造商
|
无锡华润华晶微电子有限公司
|
|
产品种类
|
硅N沟道功率MOSFET
|
|
产品特性
|
低导通电阻、低反向传输电容
|
|
电流ID
|
120A
|
|
源极电压VDSS
|
85V
|
|
导通内阻RDS
|
0.0075Ω
|
|
工作温度
|
-55°C~ +175°C
|
|
封装
|
TO-262
|
|
替换型号
|
/
|
CS120N08 AR概述
CS120N08 AR是硅N沟道增强型VDMOSFET，采用先进的沟槽技术，可降低导通损耗，提高开关性能，提高雪崩能量。晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。包装形式为TO-262，符合RoHS标准。
CS120N08 AR应用领域
● 适配器和充电器的电源开关电路
