TMR（穿隧磁阻，Tunneling Magnetoresistance）传感器是一种微小的传感器，它正在迅速颠覆汽车和可穿戴设备行业。它利用量子现象提供优于现有传感器的性能优势，可以替代主流霍尔效应传感器等产品。尽管不依赖于量子叠加（superposition）和纠缠（entanglement）等更令人兴奋的效应，但TMR传感器还是在新兴量子传感器市场获得了成功。
发布日期：2023-12-15 浏览次数：0
传感器用来收集一系列现象的数据，以测量设备的物理特性，是一种可输出可测电信号的转换器。使用传感器可以测量的特性很多，而与量子传感器市场最相关的是时间、运动和重力、磁场、电流和光子。
量子传感器的工作依赖于量子现象，与其替代的传感器相比，它的灵敏度显著提高，从而增加价值，或者能够测量其他无法获得的特性。在大多数情况下，量子现象的利用带来了比经典替代方案更高的灵敏度优势。不过，在某些情况下，性能的提高源于功耗、尺寸或遥感功能的权衡。
尽管IDTechEx将TMR传感器归类为量子传感器，但严格来讲，TMR传感器并不是量子传感器，但它利用了量子隧穿效应（量子力学现象）。
TMR传感器由铁磁体薄层和纳米厚绝缘体组成，使用量子隧道进行高灵敏度的磁场测量。得益于量子力学，电子隧穿这些层的概率强烈依赖于磁场和电场。TMR传感器可以集成在电路中，使电路表现出易于测量的电压或电阻变化，并检测比现有传感器小数百倍的磁场。
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