化解先进半导体封装挑战

近年来，随着多核处理、人工智能（AI）、物联网（IoT）等技术的快速发展，芯片的集成度和性能越来越高，对封装尺寸和成本的要求也越来越严格。传统的封装技术已经无法满足新一代芯片的封装需求。

封装领域的一个突出进步是3D Cu-Cu混合键合技术，它提供了一种高密度、低成本、高性能的方案，可以有效提高封装的可靠性和稳定性，同时降低成本和尺寸。这一变革性的解决方案有助于实现高速、低延迟的芯片互连，提高系统性能和能效。

凸点间距与先进半导体封装

1965年发明了第一个半导体封装，此后封装技术不断发展。现在，有许多封装技术，从最广泛使用的引线键合到最先进的3DIC。之所以叫先进半导体封装，一种分类方法是看凸点间距的大小。较小的凸点间距意味着更多的I/O数，即更高的互连密度，这是许多高计算应用所必需的。通常，我们将先进半导体封装定义为凸点间距小于100µm的任何封装。

凸点间距

I/O数是随着凸点间距的减小而增加的，例如：10µm凸点间距封装技术可以提供大约400倍于200µm凸点间距封装技术的I/O数。

Cu-Cu混合键合的典型应用

Cu-Cu混合键合技术可以提高封装的可靠性和稳定性。在传统的封装技术中，芯片与基板之间的连接通常采用引线或载带等方式，这些连接方式容易受机械振动、温度变化等因素的影响，导致连接失效或损坏。而Cu-Cu混合键合的连接具有更高的强度和稳定性，可有效地提高封装的可靠性和稳定性。

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