NCE0224D参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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MOSFET
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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200V
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Id-连续漏极电流
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24A
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Pd-功率耗散
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150W
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Vgs-栅源极击穿电压
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20V
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Rds On-漏源导通电阻
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64mΩ
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封装
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TO-263
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代换型号
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/
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NCE0224D概述
NCE0224D是一个低电流的BiCMOS电路，对于一个光电型烟雾检测器提供全部的功能。 NCE0224D可以与室内红外光电相结合使用来感知烟雾散射光颗粒。其特殊的功能设计，以方便成立校准和成品检测器的检测。
NCE0224D引脚图/引脚功能
NCE0224D典型应用电路图
NCE0224D典型效率曲线
应用领域
• 电源开关
• 开关盒高频电路
• 电源供应
