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4N60Z

【品牌】:UTC

【单价】:请询价

【库存交期】:4~6周

【最小起订量】:1个

【封装】:TO-220F

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制造商: 台湾友顺科技集团公司 标准包装数: 2000
封装: TO-220F 包装:
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: 4A,600V N沟道功率MOSFET

4N60Z参数


 
   制造商
  台湾友顺科技集团公司
   产品种类
   4A,600V N沟道功率MOSFET
   产品特性
  超低栅极电荷、低反向传输电容、快速开关能力
   电压VDSS
   600V
   电流ID
   4A
   电流IDM
   16A
   雪崩能力EAS
   260mJ
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   TO220F/ TO220F1/ TO251/ TO252
   替换型号
   /


4N60Z概述


 

4N60Z是UTC一个高电压功率MOSFET和被设计成具有更好的特性,如快速切换时间,低栅电荷,低通态电阻,雪崩能量指定,改进的dv / dt能力,高耐用性,并具有高耐用雪崩特性。这个功率MOSFET通常在电源高速开关应用,采用PWM马达控制,高效率的DC到DC转换器和桥接电路。
 

4N60Z引脚图/引脚功能



 
UTC  4N60Z引脚图/引脚功能


 

4N60Z典型应用电路图



UTC  4N60Z典型应用电路图
 
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