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BLV88N30

【品牌】:BELLING

【单价】:请询价

【库存交期】:2周

【最小起订量】:2500

【封装】:TO247

【下载】: PDF文档下载

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制造商: 上海贝岭股份有限公司 标准包装数: 2500
封装: TO247 包装: 盒装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: 金属氧化物半导体场效应管;N沟道增强型功率MOSFET

BLV88N30参数
 

  制造商
  上海贝岭股份有限公司
  产品种类
  金属氧化物半导体场效应管
  产品特性
  N沟道增强型功率MOSFET
  模式
  N-channel
  漏源电压VDS
  300V
  栅源电压
  30V
  漏极电流ID
  88A
  超低内阻
  0.048Ω
  封装
  TO247
  代换型号
  /


BLV88N30概述
 

BLV88N30是300V88A大功率VDMOS器件,导通电阻小、驱动简单,适合PDP驱动电路使用。具有易于并联,快速切换、简单驱动要求等特点。


BLV88N30引脚图/引脚功能


上海贝岭BLV88N30引脚图/引脚功能 


BLV88N30典型应用电路图
 

上海贝岭BLV88N30典型应用电路图 


BLV88N30典型曲线
 

上海贝岭BLV88N30典型曲线 


BLV88N30应用领域
 

●  电话机电路
●  继电器电路
●  驱动电路等 
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