当前位置: 首页 » 产品中心 » 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET

NCE3080K

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:3000

【封装】:TO252

【下载】: PDF文档下载

分享到:
询价提示

1、24小时内快速提供报价

2、提交询价后立即发送确认邮件

3、登录我的询价实时查看处理情况

阶梯价格

购买数量大于最大阶梯数量,建议询价获得更优惠价格!

询 价

制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 3000
封装: TO252 包装: 管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道增强型功率MOSFET

NCE3080K参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

30V

连续漏极电流(最大)

80A

功率耗散(最大)

83W

栅源极击穿电压

20V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

5.5mΩ

漏源导通电阻(典型值)(4.5V)

7.5mΩ

封装

TO252


NCE3080K概述


该NCE3080K采用先进的沟槽技术和设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。


NCE3080K引脚图/引脚功能


新洁能NCE3080K引脚图/引脚功能

NCE3080K典型应用电路图


新洁能NCE3080K典型应用电路图

应用领域


•  电源开关的应用
•  硬开关和高频电路
•  不间断电源供应

NCE3080K典型效率曲线


新洁能NCE3080K典型效率曲线

NCE3080K相关方案
您可能想要了解
可替代产品
为您推荐品牌
中山万科 超致半导体 上海芯导 航顺 云龙禹 信安 华冠半导体 Microne 华润华晶 无锡铭芯微 绿达 正能光电
最近浏览
 
QQ在线咨询
全国服务热线
0755-83690011