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BLV1N60A |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管、N沟道增强型功率MOSFET |
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BLV1N60 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管、N沟道增强型功率MOSFET |
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BLV840 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管、N沟道增强型功率MOSFET |
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BLV740 |
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金属氧化物半导体场效应管、N沟道增强型功率MOSFET |
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BLV730 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管；N沟道增强型功率MOSFET |
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BLV88N30 |
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金属氧化物半导体场效应管；N沟道增强型功率MOSFET |
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金属氧化物半导体场效应管；N沟道增强型功率MOSFET |
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BLV40N20 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管；N沟道增强型功率MOSFET |
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BLV830 |
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金属氧化物半导体场效应管，N沟道增强型功率MOSFET |
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BLM7002K |
上海贝岭股份有限公司 |
N沟道增强型功率MOSFET、高功率和电流处理能力 |
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BLM138K |
上海贝岭股份有限公司 |
N沟道增强型功率MOSFET、高功率和电流处理能力 |
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BLM7002 |
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N沟道增强型功率MOSFET、高功率和电流处理能力 |
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BLM3400 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管；N沟道增强型功率MOSFET |
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上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管;N沟道增强型功率MOSFET |
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BLV4N60 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管;N沟道增强型功率MOSFET |
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BLM9926 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管；N沟道增强型功率MOSFET |
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BLM8205B |
上海贝岭股份有限公司 |
N沟道增强型功率MOSFET、高功率和电流处理能力 |
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BLVP304 |
上海贝岭股份有限公司 |
P沟纵向MOSSFET、P沟道增强型VDMOS |
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2SB1198 |
台湾友顺科技集团公司 |
PNP外延硅晶体管 |
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4~6周 |
2000 |
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BLM8205 |
上海贝岭股份有限公司 |
p沟道增强型功率MOSFET、高功率和电流处理能力 |
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