BLV1N60参数
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制造商
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上海贝岭股份有限公司
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产品种类
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金属氧化物半导体场效应管
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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模式
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N-channel
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漏源电压VDS
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600V
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栅源电压
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20V
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漏极电流ID
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1A
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超低内阻
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8Ω
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封装
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TO251/TO252
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代换型号
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/
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BLV1N60概述
BLV1N60这种先进的高压MOSFET使用压凸的专有DMOS结构技术。为高效率开关模式电源而设计的。具有易于并联，快速切换、简单驱动要求等特点。
BLV1N60引脚图/引脚功能
BLV1N60典型应用电路图
BLV1N60典型曲线
BLV1N60应用领域
● 电话机电路
● 继电器电路
● 驱动电路等 
