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HM30N02K

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1个

【封装】:TO252

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制造商: 深圳市华之美半导体有限公司 标准包装数: 1000
封装: TO252 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道增强型功率MOSFET

HM30N02K参数


 
   制造商
  深圳市华之美半导体有限公司
   产品种类
  N沟道增强型功率MOSFET
   产品特性
  超低Rd,超高密度电池设计、高EAS、高ESD
   漏源电压VDS
   20V
  栅源电压VGS
  12V
   电流ID
   30A
   电流IDM
   70A
   导通内阻RDS
   8mΩ
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   TO252
   替换型号
   DTU30N02/NTC30N02/IRLR3714Z/AOD4120/AOD422/AOD476

HM30N02K概述


 

HM30N02K采用先进的沟槽技术设计,以提供具有低栅极电荷的优秀的R DS(ON)。 它可用于各种应用。超低Rd、超高密度电池设计,完全表征的雪崩电压和电流,良好的稳定性和均匀性,高EAS,优良的封装,散热性好,高ESD能力的特殊工艺技术。
 

HM30N02K引脚图/引脚功能


 
HM30N02K引脚图/引脚功能
 

HM30N02K典型应用电路图


 
HM30N02K典型应用电路图
 

HM30N02K应用


 
●  电源开关应用
●  负载切换
●  不间断电源
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