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HM3N90I

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1000

【封装】:TO-251

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制造商: 深圳市华之美半导体有限公司 标准包装数: 1000
封装: TO-251 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道功率MOSFET

HM3N90I参数


 
   制造商
  深圳市华之美半导体有限公司
   产品种类
   N沟道功率MOSFET
   产品特性
  低导通电阻、低栅极电荷、低反向传输电容
   漏源电压VDS
   900V
  栅源电压VGS
  30V
   电流ID
   3A
   电流IDM
   12A
   导通内阻RDS
   5Ω
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   TO-251
   替换型号
   FQP3N90/FQA3N90/UTC3N90/STP3N90

HM3N90I概述


 

HM3N90I,硅N沟道增强型VDMOSFET,是通过自对准平面技术减少传导损耗,提高开关性能和提高雪崩能量。 该晶体管可以用于各种电源开关电路系统小型化更高的效率。 包装形式为TO-220AB,符合符合RoHS标准。
 

HM3N90I引脚图/引脚功能


 
HM3N90I引脚图/引脚功能
 

HM3N90I典型应用电路图


 
HM3N90I典型应用电路图
 

HM3N90I应用


 
●  汽车、直流电机控制和D类放大器


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