拜DRAM 价格因供给短缺而以高角度上扬之赐，部分分析师预测南韩两大存储厂三星与SK 海力士，今年半导体营业利润可能年增5 成，来到史无前例的25 兆韩圆。
存储市况从2016 年6 月触底反弹后，从最低每单位1．31 美元一路走升，年底攀底至1．94 美元，且在供给有限而需求增加的状况下，存储今年有望延续涨势。
随着PC 大饼持续萎缩，分析师去年一度唱衰电脑用存储市况，但人算不如天算，下半年笔电用存储需求旺盛，让NAND 快闪存储呈现缺货状态。至于PC 用DRAM 报价，今年第一季预估将再上涨三成。
另外，即使三星Galaxy Note 7 2016 年因自燃事件被迫停产，但行动DRAM 需求仍旧不减反增，这主要归功于中国智能手机业者积极填补Note 7 遗留下的需求缺口。
根据赛迪顾问提供的数据，2014年中国存储芯片市场规模达到2465．5亿元，占国内芯片市场比重的23．7％，其比重超过CPU、手机基带芯片。
而中国所使用的存储占全球的比例也在逐步上升，。2014年中国大陆DRAM消耗量已达102亿美元，约占全球市场的20％；NAND Flash消耗量也接近全球市场的25％。但与此形成鲜明对比的是国内在这个领域几近空白，市场份额基本都是被日韩美几大巨头所垄断。上文提到的三星和SK海力士就是韩国厂商的代表，每年他们都能从中国获取高额的利润，最主要的是在自主可控方面，中国没有任何话事权。于是发展国产的存储产业就水到渠成了。
IC Insights 的最新报告指出，DRAM 与NAND 快闪存储等产品，在未来5 年内的年平均均复合增长率（CAGR） 将达到7．3％ 的水准，产值也将从2016 年的773 亿美元，扩增至1，099 亿美元。就半导体的产品别来观察，将会是所有产品成长最大的项目。
报告中进一步指出，受惠于智能手机等行动装备对低功耗，存储需求的快速增加，这是带动DRAM 与NAND 快闪存储成长的主要原因。除此之外，使用NAND 快闪存储的固态硬碟（SSD）在资料中心的储存设备中，或是笔记行电脑的应用也日趋吃重，也是拉抬其相关产业发展的关键。
IC Insights 进一步表示，如果将将半导体区分成逻辑IC、存储、模拟IC 与微组件（microcomponents）IC 等四大部分的话，在未来5 年的预测区间内，将是以存储的成长力道最为强劲，模拟IC 的成长比率5．2％ 居次，微组件则为4．4％ 排名第3，而逻辑IC 则仅成长2．9％ 垫底。
而IC Insights 还指出，南韩科技大厂三星上周五公布2016 年第4 季财报预测时，原本预计在旗舰型智能手机Galaxy Note7 发生电池爆炸，以致召回而最后停产的情况下，三星原本预计第4 季在吸收Galaxy Note7 召回成本，以及停产的损失后，最终将大亏超过20 亿美元。不料，最终的结果是营业利益竟然还能逆势，跳增近80％ 的比率，其中一大原因就是受惠于DRAM 与快闪存储的价格大涨，将利润空间拉大，补足了三星在其他部门的损失。
