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HM10N60

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1000

【封装】:TO-220/TO-220F

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制造商: 深圳市华之美半导体有限公司 标准包装数: 1000
封装: TO-220/TO-220F 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道增强型场效应晶体管

HM10N60参数


 
   制造商
  深圳市华之美半导体有限公司
   产品种类
   N沟道增强型场效应晶体管
   产品特性
  低栅极电荷、低 Crss、高抗 dv/dt 能力
   漏源电压VDS
   600V
  栅源电压VGS
  30V
   电流ID
   9.5A
   电流IDM
   40A
   导通内阻RDS
   0.75Ω
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   TO-220/TO-220F
   替换型号
   FQP10N60/FQN10N60/UTC10N60/STP10N60


HM10N60概述


 

HM10N60该功率MOSFET采用SL半导体先进的平面条DMOS技术。这种先进的技术已经特别定制最小化导通电阻,提供卓越的开关性能,并承受高能脉冲雪崩和换向模式。 这些设备都很好适用于高效率开关电源,基于半桥的有源功率因数校正拓扑。
 

HM10N60引脚图/引脚功能


 
HM10N60引脚图/引脚功能
 

HM10N60应用


 
●  高频开关电源
●  电子镇流器
●  UPS 电源


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