UTT20N06参数
|
制造商
|
台湾友顺科技集团公司
|
|
产品种类
|
20A，60V N沟道功率MOSFET
|
|
产品特性
|
低CRSS、高开关速度、低栅极电荷
|
|
电压VDSS
|
60V
|
|
电流ID
|
20A
|
|
电流IDM
|
80A
|
|
雪崩能力EAS
|
170mJ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO220/ TO251/ TO263/ TO252
|
|
替换型号
|
/
|
UTT20N06概述
UTT20N06是UTC一个N沟道增强型电源UTC采用的先进技术，为客户提供MOSFET以最小导通电阻和出色的开关性能。它也可以承受的高能量脉冲雪崩和减刑模式。该UTC UTT20N06在低压普遍应用，如汽车，为直流/直流转换器和直流高效率的开关电机控制。
UTT20N06引脚图/引脚功能
