NCE25GD135P参数
|
制造商
|
无锡新洁能股份有限公司
|
|
产品种类
|
IGBT 晶体管
|
|
产品特性
|
1350V，25A，NPT沟道IGBT
|
|
电压 - 集射极击穿（最大值）
|
1350V
|
|
VGE-击穿电压（典型值）
|
5.5V
|
|
VGE-击穿电压（最大值）
|
30V
|
|
Pd-功率耗散
|
312W
|
|
15 V Vge，Ic 时的 Vce
|
2V
|
|
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
|
25A
|
|
封装
|
TO-3P
|
|
代换型号
|
/
|
NCE25GD135P概述
NCE25GD135P采用先进的沟槽NTP技术，NCE的1350V的IGBT提供优越的传导和开关性能，并且具有更强的雪崩耐量和易操作性。该器件是专为软开关应用而设计的。
NCE25GD135P引脚图/引脚功能
NCE25GD135P典型应用电路图
NCE25GD135P典型效率曲线
应用领域
• 感应加热
• 软开关应用
