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NCE2006NE

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:2500

【封装】:SOT23-6

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制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 2500
封装: SOT23-6 包装: 卷带
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道增强型功率MOSFET

NCE2006NE参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

20V

连续漏极电流(最大)

7A

功率耗散(最大)

1.25W

栅源极击穿电压

10V

漏源导通电阻(典型值)(4.5V)

15mΩ

封装

SOT23-6


NCE2006NE概述


该NCE2006NE采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个负荷开关或PWM应用。它是ESD保护。


NCE2006NE引脚图/引脚功能


新洁能NCE2006NE引脚图/引脚功能

NCE2006NE典型应用电路图


新洁能NCE2006NE典型应用电路图

应用领域


•  PWM应用
•  负荷开关

NCE2006NE典型效率曲线


新洁能NCE2006NE典型效率曲线

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