国产MOS管 和IGBT是现代电子设备中使用频率较高的新型功率半导体器件，由于其外形 及静态参数十分相似，作为初学者在选择、判断上比较困难。因此中芯谷小编为大家整理了一些MOS管 和IGBT的特点，希望大家更好的理解国产MOS管与IGBT的区别。
MOS管概述
国产MOS管即是金属氧化物半导体绝缘栅场效应管，英文全称为MOSEFT。是单极性电压驱动器件，其具有输入阻抗高开关速度快、低通导电阻、电流流通能力强的特点。MOS管当用作在电源开关时，是产品主要的热源，需要靠外部散热，是降低IC可靠性，导致系统不稳定的罪魁祸首。由于MOS管的结点电容比较大，应尽量零电压开通以达到减少损耗的目的。
在应用方面国产MOS管常被应用于中小功率应用，例如手机、VCD、变频器和开关电源。
IGBT概述
IGBT是绝缘栅双极型、集MOS管与GTR优点于一身的新型复合型器件，除了有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具备饱和压低、高电压、大电流的优点。
在应用方面，由于IGBT的开关损耗比较大，因此IGBT比较适用于中低频应用，且在实际应用时外围需要较多的保护线路。与国产MOS管相比IGBT，在高压电流下， IGBT的Vce在的损耗比MOS管的低，因此在大功率应用中更占优势。此外由于IGBT有电流拖尾现象，在应用时应尽量零电流关断减少损耗。
IGBT的应用领域不断在开拓不仅能在开关电源、逆变电源、变频电源等得到很好应用，并能为高效节能、仪器仪表、工业自动化控制等高科技市场提供全方位的服务。
随着电力电子技术的发展和创新，电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切。在近些年国内不乏有生产高质量电子元器件的厂商，半导体行业以国外品牌占主导的局面慢慢被打破，许多国产元器件打着“高性价比“的旗号开始走向市场，中芯谷相信国产元器件进军国际市场也是指日可待。
