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NCE20H11K

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:3000

【封装】:TO252

【下载】: PDF文档下载

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制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 3000
封装: TO252 包装: 管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道增强型功率MOSFET

NCE20H11K参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

20V

连续漏极电流(最大)

110A

功率耗散(最大)

85W

栅源极击穿电压

10V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

3mΩ

封装

TO252

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