NCE20P09S参数
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制造商
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产品种类
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产品特性
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P沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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-20V
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Id-连续漏极电流
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-9A
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Pd-功率耗散
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3.1W
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Vgs-栅源极击穿电压
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12V
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Rds On@4.5V-漏源导通电阻
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22mΩ
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封装
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SOP-8
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代换型号
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NCE20P09S概述
NCE20P09S采用先进的沟槽技术，并具有出色的通导电阻能力，低栅极电荷以及低至2.5V的操作电压。NCE20P09S非常适用于负载开关和PWM应用。
NCE20P09S引脚图/引脚功能
NCE20P09S典型效率曲线
应用领域
• 电机驱动器
• 负载开关
• 电源管理
