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NCE20P09S

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:2500

【封装】:SOP8

【下载】: PDF文档下载

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制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 2500
封装: SOP8 包装: 卷带
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: P-20V Trench MOSFET

NCE20P09S参数


  制造商
  产品种类
  MOSFET
  产品特性
  P沟道增强型功率MOSFET
  Vds-漏源极击穿电压
  -20V
  Id-连续漏极电流
  -9A
  Pd-功率耗散
  3.1W
  Vgs-栅源极击穿电压
  12V
  Rds On@4.5V-漏源导通电阻
  22mΩ
  封装
  SOP-8
  代换型号
  /

NCE20P09S概述


NCE20P09S采用先进的沟槽技术,并具有出色的通导电阻能力,低栅极电荷以及低至2.5V的操作电压。NCE20P09S非常适用于负载开关和PWM应用。


NCE20P09S引脚图/引脚功能


NCE20P09S引脚图引脚功能

NCE20P09S典型效率曲线


NCE20P09S典型效率曲线

应用领域


  •  电机驱动器
  •  负载开关
  •  电源管理
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