CS100N03 B4参数
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制造商
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无锡华润华晶微电子有限公司
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产品种类
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硅N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低导通电阻、低反向传输电容
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电流ID
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100A
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源极电压VDSS
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30V
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耗散功率
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100W
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导通内阻RDS
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0.0053Ω
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工作温度
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-55°C~ +175°C
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封装
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TO-252
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替换型号
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/
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CS100N03 B4概述
CS100N03 B4，硅N沟道增强型VDMOSFET，通过自对平面技术获得，降低导通损耗，提高开关性能，提高雪崩能量。晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高 效率。封装形式为TO-252，符合RoHS标准。
CS100N03 B4应用领域
● UPS，直流电机控制和D类放大器
