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NCE1216

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:2500 个

【封装】:DFN2X2 6L

【下载】: PDF文档下载

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制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 2500
封装: DFN2X2 6L 包装: 卷带
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: P-20V Trench MOSFET

NCE1216参数


  制造商
  产品种类
  产品特性
  P沟道增强型功率MOSFET
  Vds-漏源极击穿电压
  -12V
  Id-连续漏极电流
  -16A
  Pd-功率耗散
  18W
  Vgs-栅源极击穿电压
  12V
  Rds On@4.5V-漏源导通电阻
  11.5mΩ
  封装
  DFN2X2 6L
  代换型号
  /

NCE1216概述


NCE1216采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅极电荷的通导电阻能力。NCE1216非常适用于负载开关和其他各种应用。


NCE1216引脚图/引脚功能


NCE1216引脚图引脚功能

应用领域


  •  PWM应用
  •  负载开关
  •  手机电池充电器
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