HM5513D参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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二合一锂电池保护IC
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产品特性
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高精度电压检测电路、有过放自恢复功能
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耐压
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8.0V
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工作电流
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3uA
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过充电压
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4.3V
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过放电压
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2.8V
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过放释放电压
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3.0V
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工作温度
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-40°C~ +85°C
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封装
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DFN-5L
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替换型号
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/
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HM5513D概述
HM5513D产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。HM5513D包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。HM5513D具有非常小的DFN-5L的封装,这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。HM5513D具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。
HM5513D应用
● 1节锂离子可再充电电池组
● 1节锂聚合物可再充电电池组
