HM70N80B参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道沟槽功率MOSFET
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产品特性
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超低导通电阻、高UIS
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漏源电压VDS
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70V
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栅源电压VGS
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25V
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电流ID
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80A
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电流IDM
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300A
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导通内阻RDS
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7mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220
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替换型号
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STP75NF75/IRF1010E/2SK4145/AOT430/IRF3607/LTP75N08
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HM70N80B概述
HM70N80B是N沟道MOS场效应晶体管专为大电流开关应用而设计。 坚固的E AS能力和超低R DS（ON）适用于PWM，负载开关特别适用于电子自行车控制器应用。
HM70N80B应用
● 48V电动自行车控制器应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
