HM25P03Q参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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-30V
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栅源电压VGS
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-20V
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电流ID
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-25A
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电流IDM
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-75A
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导通内阻RDS
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15mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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DFN3*3-8
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替换型号
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AON7403
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HM25P03Q概述
HM25P03Q采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS，低栅极电荷和操作闸电压低至4.5V。无铅产品，表面贴装型封装。
HM25P03Q应用
●电池开关
●负荷开关
●能源管理
