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HM2305D

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1个

【封装】:DFN2*2-6

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制造商: 深圳市华之美半导体有限公司 标准包装数: 2500
封装: DFN2*2-6 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: P沟道增强型功率MOSFET

HM2305D参数


 
   制造商
  深圳市华之美半导体有限公司
   产品种类
   P沟道增强型功率MOSFET
   产品特性
  高功率和电流移交能力
   漏源电压VDS
   -20V
  栅源电压VGS
  -12V
   电流ID
   8A
   电流IDM
   32A
   导通内阻RDS
   39mΩ
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   DFN2*2-6
   替换型号
   AON2405

HM2305D概述
 

HM2305D采用先进的沟槽技术,提供优良的R DS(ON),低栅极电荷和操作闸电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个负载开关或PWM应用。无铅产品,表面贴装型封装。
 

HM2305D应用


 
●  PWM应用
●  负荷开关
●  电源管理
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