HM4892A参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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双N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计低导通电阻、可靠耐用
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漏源电压VDS
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100V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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7.5A
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电流IDM
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22.5A
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导通内阻RDS
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33mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOP-8
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替换型号
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AO4892
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HM4892A引脚图/引脚功能
HM4892A典型应用电路图
HM4892A应用
● 电源管理系统逆变器
● 升压LED背光
