HM5N06R/PR参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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60V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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5A
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电流IDM
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20A
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导通内阻RDS
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45mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOT89/ SOT223
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替换型号
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/
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HM5N06R/PR概述
HM5N06R采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。
HM5N06R/PR引脚图/引脚功能
HM5N06R/PR应用领域
●电源开关应用
●硬开关和高频电路
●不间断电源
