当前位置: 首页 » 资讯 » 热点文章 » 正文

我国为何把3D NAND作为入局半导体的最佳切入点?

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-01-13  浏览次数:29
核心提示:长江存储成立后,大陆在这个阶段于半导体的宏观布局重新成形。但是为什么挑由存储器入手?这是个关键选择。尤其是在台湾的 DRAM 产业甫因规模经济不足导致研发无法完全自主而缓缓淡出之际,这样的选择需要一番辩证。进口替代当然是原因之一,但不是全部。

回归基本面来看。半导体之所以为高科技是因为有摩尔定律,容许其不断的制程微缩,而其经济效益也高度依赖摩尔定律。DRAM 在很长的一段时间里是半导体业的驱策技术(driving technology),也就是说DRAM的制程领导其它的半导体制程前进。半导体的先行者AT&T、Intel都曾投入这产业,日本90年代的半导体霸业、台湾、韩国的半导体产业崛起,都与DRAM息息相关。如果不健忘的话,台湾的DUV、CMP、12寸厂等先进技术都是由DRAM厂率先引入。

在2000年初后,逻辑与NAND的制程进展相继超越DRAM,DRAM失去了其驱策技术的地位。逻辑制程持续往平面微缩的方向前进,能见度到3nm,还有3、4个世代可行;NAND往3D堆叠走,这个方向能走多远尚未可知,但是短时间内碰不到物理极限,是比较技术面可克服的问题。

逻辑的平面制程微缩与NAND的3D堆叠同时是未来半导体业的驱策技术,大陆作为后发者选择最近才兴起、后面发展道路长的驱策技术投入,是比较合理的做法。至于DRAM,已于20nm久滞,虽然仍有机会继续缓慢推进到10nm,但其制程技术主要是针对DRAM,很难嘉惠于其它产品,战略性比较不足。

所以大陆选择3D NAND重新出发,3D的制程技术还有机会应用到其它产品,譬如3D MRAM。至于研发的规模经济,由其所投资相应的生产规模来看,如果有盈余的话,是有机会支撑持续的自主研发的。剩下来的问题是NAND的技术灵不灵?大陆NAND的技术授权引入研发已有好几年了,以前的表现颇有波折,就连二维平面NAND的生产也称不上顺利。现在要当成主要的产品并结合3D制程,恐是个有点高风险的选择!

 
 
[ 资讯搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 
0条 [查看全部]  相关评论

 
推荐图文
推荐资讯
点击排行
 
QQ在线咨询
全国服务热线
0755-83979566