HM3N25I参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道功率MOSFET
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产品特性
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ESD改进能力、低栅极电荷、低反向传输电容
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漏源电压VDS
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250V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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3A
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电流IDM
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12A
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导通内阻RDS
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1Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO251/ TO252
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替换型号
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FQP3N25/STP3N25/UTC3N25/PFB3N25/FTP3N25/WFP3N25
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HM3N25I概述
HM3N25I/K，硅N沟道增强型VDMOSFET，是通过自对准平面技术减少传导损耗，提高开关性能和提高雪崩能量。 该晶体管可以用于各种电源开关电路系统小型化更高的效率。 包装形式为SOT-251，符合符合RoHS标准。
HM3N25I引脚图/引脚功能
HM3N25I典型应用电路图
HM3N25I应用
● 适配器和充电器的电源开关电路
