HM6N70参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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700V N沟道MOSFET
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产品特性
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低导通电阻、低栅极电荷、低反向传输电容
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漏源电压VDS
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700V
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栅源电压VGS
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30V
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电流ID
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6A
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电流IDM
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24A
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导通内阻RDS
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1.8Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252
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替换型号
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FQP6N70/FQA6N70/FQB6N70/SVF6N70/IXTH6N70/UTC6N70
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HM6N70概述
HM6N70/F，硅N沟道增强型VDMOSFET，是通过自对准平面技术得到的减少传导损耗，提高开关性能增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路，用于系统小型化更高的效率。包装形式为TO-220，TO-220F,符合RoHS标准。
HM6N70引脚图/引脚功能
HM6N70应用
● 适配器和充电器的电源开关电路
