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PN10HN60

【品牌】:Chipown

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:3000

【封装】:TO220/220FP

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制造商: 无锡芯朋微电子股份有限公司 标准包装数: 3000
封装: TO220/220FP 包装: 管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道超结MOSFET

PN10HN60参数


制造商
无锡芯朋微电子股份有限公司
产品种类
产品特性
N沟道超结MOSFET
栅极电压
0~600V
连续漏电流
0~10A
漏电流脉冲
0~30A
门源电压
±30V
单脉冲雪崩能量
200mJ
导通电阻
0.34mΩ
封装
TO220/220FP
代换型号
/

PN10HN60概述


NeoFET,基于先进的深槽填充工艺,是新一代高压超结MOSFET产品。与传统MOSFET相比较,本产品的特征导通电阻下降了70%。通过利用先进的制造技术以及精确的工艺控制,NeoFET产品具有优越的开关特性和可靠性。本产品适用于计算机主板电源,服务器/通信领域,适配器,液晶和等离子平板电视,照明,UPS以及工业电源应用领域。


PN10HN60引脚图/引脚功能


PN10HN60引脚图/引脚功能

应用领域


  •  计算机主板电源
  •  适配器
  •  液晶和等离子平板电视
  •  照明
  •  通信,服务器
  •  UPS
  •  开关电源应用
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