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HM3307/D

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1000

【封装】:TO-220/TO-263

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制造商: 深圳市华之美半导体有限公司 标准包装数: 1000
封装: TO-220/TO-263 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道增强型功率MOSFET

HM3307/D参数


 
   制造商
  深圳市华之美半导体有限公司
   产品种类
   N沟道增强型功率MOSFET
   产品特性
  超低Rdson的高密度电池设计、高ESD、高EAS
   漏源电压VDS
   80V
  栅源电压VGS
  25V
   电流ID
   110A
   电流IDM
   400A
   导通内阻RDS
   7mΩ
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   TO220/ TO263
   替换型号
   IRFB3307/AOT282/AOT284/AOT482/SUM90N06//SUM110N06/SUM90N08/SUM110N08/IRF1018ES/IRF1010ES/
IRFS3806/IRFZ44ES/IRFZ48VS//IRF1407S/IRF3808S/IRFS3307/AOB470L/AOB282LAOB284L/AOB286L/AOB288L/AOB482L

HM3307/D概述


 

HM3307/D采用先进的沟槽技术设计,以提供具有低栅极电荷的优秀的R DS(ON)。该器件适用于PWM,负载开关和通用应用。高ESD能力的特殊工艺技术,专为变流器和电源控制而设计,超低Rdson的高密度电池设计,完全表征的雪崩电压和电流,良好的稳定性和均匀性,高EAS,优良的封装,散热性好。
 

HM3307/D引脚图/引脚功能


 
HM3307/D引脚图/引脚功能
 

HM3307/D典型应用电路图


 
HM3307/D典型应用电路图
 

HM3307/D应用


 
●  电源开关应用
●  硬开关和高频电路
●  不间断电源



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