UTC606P-H参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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-6A，-12V，P沟道1.8V沟槽MOSFET
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产品特性
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高开关速度、高性能沟道技术极低的RDS（ON）
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电压VDSS
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12V
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电流ID
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6A
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电流IDM
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20A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOT26
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代换型号
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/
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UTC606P-H概述
UTC UTC606P-H是一个P沟道MOSFET，它使用UTC的先进的技术，为客户提供一个最低态电阻和高开关速度。与UTC UTC606P-H是适用于电池管理，负载开关和电池保护。
UTC606P-H引脚图/引脚功能
