11N60K-MT参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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11A，600V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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快速切换
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电压VDSS
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600V
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电流ID
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11A
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电流IDM
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44A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F2
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替换型号
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/
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11N60K-MT概述
11N60K-MT是UTC一个N沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的UTC平面条形，DMOS科技为客户提供完善的开关性能，最小的导通状态电阻。它也能承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。该UTC11N60K-MT是电子灯普遍应用基于半桥拓扑镇流器，高效率的开关式电源，有源功率因数校正等。
11N60K-MT引脚图/引脚功能
11N60K-MT典型应用电路图
