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4N60-R

【品牌】:UTC

【单价】:请询价

【库存交期】:4~6周

【最小起订量】:1个

【封装】:TO-220F1

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制造商: 台湾友顺科技集团公司 标准包装数: 2000
封装: TO-220F1 包装:
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: 4A,600V N沟道功率MOSFET

4N60-R参数


 
  制造商
  台湾友顺科技集团公司
  产品种类
  4A,600V N沟道功率MOSFET
  产品特性
  快速开关能力、改进的dv / dt能力,高耐用性
  电压VDSS
   600V
  电流ID
   4A
  电流IDM
   16A
  工作温度
  -55°C~ +150°C
  封装
   TO220/ TO220F1
  替换型号
   /

4N60-R概述


 

4N60-R是UTC一种高压功率MOSFET和是设计成具有更好的特性,如快速开关时间,低栅极电荷,低通态电阻和具有较高坚固耐用的特点雪崩。这个功率MOSFET通常在电源高速开关应用中使用,PWM马达控制,高效率的DC到DC转换器和桥电路。
 

4N60-R引脚图/引脚功能



 
UTC  4N60-R引脚图/引脚功能

 

4N60-R典型应用电路图


UTC  4N60-R典型应用电路图
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