7N20Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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7A，200V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低栅极电荷、低CRSS、快速切换、改进dv/ dt能力
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电压VDSS
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200V
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电流ID
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7A
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电流IDM
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28A
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雪崩能力EAS
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130mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252
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替换型号
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/
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7N20Z概述
7N20Z是UTC一个N沟道增强型功率MOSFET为客户提供出色的开关性能和最低通态电阻。该装置也能承受在雪崩和减刑模式高能量脉冲。该UTC7N20Z在低电压应用中普遍应用，如DC马达控制，音频放大器和高效率开关DC / DC转换器。
7N20Z引脚图/引脚功能
7N20Z典型应用电路图
