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NCE80R900K

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:3000

【封装】:TO-252

【下载】: PDF文档下载

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制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 3000
封装: TO-252 包装: 管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: 800V SJ-MOS Ⅱ

NCE80R900K参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道超结功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

800V

连续漏极电流(最大)

6A

功率耗散(最大)

81W

栅源极击穿电压

30V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

780mΩ

漏源导通电阻(最大值)(10V)

900mΩ

封装

TO252


NCE80R900K概述


该系列器件采用先进的超结技术和设计,以提供出色的RDS(ON)低栅极电荷。这种超结MOSFET符合行业AC-DC开关电源为PFC,AC / DC电源的要求转换,以及工业电源应用。


NCE80R900K引脚图/引脚功能


新洁能NCE80R900K引脚图/引脚功能

NCE80R900K典型应用电路图


新洁能NCE80R900K典型应用电路图

应用领域


•  功率因数校正(PFC)
•  开关模式电源(SMPS)
•  不间断电源(UPS)

NCE80R900K典型效率曲线图


新洁能NCE80R900K典型效率曲线图

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