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HM2310

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1000

【封装】:SOT23-3L

【下载】: PDF文档下载

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制造商: 深圳华之美半导体有限公司 标准包装数: 1000
封装: SOT23-3L 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道增强型功率MOSFET

HM2310参数


制造商

深圳华之美半导体有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道增强型功率MOSFET

沟道

N沟道

漏-源电压(最大)

60V

栅-源电压

20V

栅源阈值电压(典型值)

1.4V

漏极直流电流(最大值)

3A

最大脉冲漏电流

10A

栅源通态电阻

105mΩ

封装

SOT23-3L

代换型号

AP2310GN/APM2360A/AO3422/IRFL014/UT3N06


HM2310概述


该HM2310采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。


HM2310引脚图/引脚功能


华之美HM2310引脚图/引脚功能

HM2310典型应用电路图


华之美HM2310典型应用电路图

应用领域


•  电池开关
•  DC/ DC转换器

HM2310典型效率曲线


华之美HM2310典型效率曲线

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