存储关乎安全，基于自主可控的需求才是政策强推的根本原因
近年来，信息存储安全事件频发，信息存储安全一旦受到威胁，将危害到党政军、石油、化工、核能、金融等所有行业的发展，是国家安全整体战略的重要环节。而目前我国储芯片空白，几乎100%依赖进口，信息安全形势严峻。因此，我国必须强力推动存储芯片国产化的发展。
存储芯片具有技术差距大、行业集中度高、周期性强、资金投入大四大特性
国产化任务艰巨，国内单一企业力量难以攻克，国家意志正强力推进存储芯片国产化。目前，紫光600 亿元投入存储芯片工厂，未来将投资300 亿美元主攻存储器芯片制造；武汉新芯240亿美元打造存储器基地；福建晋华集成电路与联电合作开发32 纳米制程的利基型DRAM，投资370 亿元发展存储芯片；合肥投资460亿元建设DRAM 工厂。我们看到，在国家意志下，国内多方力量已经着手推进存储芯片国产化。我们也建议中国政府从技术合作、人才支持、系统整合、产业链配套等多角度全方位持续地加大对存储芯片的支持力度。
NAND FLASH 前景广阔，3D NAND FLASH 有望实现中国弯道超车
SSD 替代HHD 是长久趋势，可引爆NAND FLASH 市场需求。目前，NAND FLASH 正从2D 到3D 全面转型，而从2D 走到3D，需要新的技术领域加入，给中国厂商留下了突破的时间与空间。中国厂商若能整合跨领域人才和技术，3D NAND FLASH 将成为中国存储芯片弯道超车切入点。
DRAM 市场需求稳中有升，中国厂商参与有望打破格局
移动端和企业端应用进一步提升DRAM 需求量，DRAM 市场整体需求呈现稳中有升的态势。目前，DRAM 市场以Samsung、SK Hynix、Micron为主，未来几年中国厂商持续推进DRAM 项目有望打破市场格局。
