HM2302KR参数
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制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
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沟道 |
N沟道 |
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漏-源电压（最大） |
20V |
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栅-源电压 |
10V |
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栅源阈值电压（典型值） |
0.7V |
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漏极直流电流（最大值） |
3A |
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最大脉冲漏电流 |
6A |
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栅源通态电阻 |
30mΩ |
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封装 |
SOT323 |
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代换型号 |
AO7414/AO7404/Si1308EDL/Si1302DL |
HM2302KR概述
该HM2302KR采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。
HM2302KR引脚图/引脚功能
HM2302KR典型应用电路图
应用领域
• 电池保护
• 负荷开关
• 电源管理
HM2302KR典型效率曲线
