PN4HN60参数
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制造商
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无锡芯朋微电子股份有限公司
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产品种类
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晶体管
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产品特性
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N沟道超结MOSFET
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达林电源电压
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0~600V
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连续漏电流
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0~4.5A
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漏电流脉冲
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0~13A
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输入电压
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±30V
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导通电阻
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0.85Ω
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单脉冲雪崩能量
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130mJ
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封装
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TO251/252
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代换型号
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/
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PN4HN60概述
NeoFET基于先进的深槽填充工艺，是新一代高压超结MOSFET产品。与传统MOSFET相比较，本产品的特征导通电阻下降了70%。通过利用先进的制造技术以及精确的工艺控制，NeoFET产品具有优越的开关特性和可靠性。本产品适用于计算机主板电源，服务器/通信领域，适配器，液晶和等离子平板电视，照明，UPS以及工业电源应用领域。
PN4HN60引脚图/引脚功能
PN4HN60典型应用电路图
应用领域
• 计算器主板电源
• 适配器
• 液晶和等离子平板电视
• 照明
• 通信，服务器
• UPS
• 开关电源应用
