NCE20ED135T参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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MOSFET分立器件
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产品特性
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高速开关、高输入阻抗、符合ROHS标准
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输入电压
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1350V
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输出电压
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30V
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电位差
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340W
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超低内阻
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7mΩ
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输出电流
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20A
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工作温度
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-50°~+150°
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封装
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TO-247
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代换型号
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/
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NCE20ED135T概述
使用先进的海沟视场光阑技术,基于1350 v的igbt提供优越的传导和开关性能,并与特殊雪崩强度容易并行操作。该设备是专为软切换应用程序。新洁能推出的新一代IGBT采用沟槽结构的电场截止型技术（Trench Field Stop），沟槽元胞结构大大增加器件的功率密度，通过超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer Process）在芯片集电极端使用电场截止型（Field Stop）结构，从而显著降低器件的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff），对比上一代产品，器件功率损耗（导通损耗与开关损耗之和）降低了33%，配合搭载独立的等电压快速恢复二极管（FRD），适宜于电磁加热等各类软开关应用。新一代1350V产品系列将器件击穿电压提升至新的标准，并且确保产品在严酷的环境下具有稳定一致的电参数和牢固的可靠性。与此同时，新一代IGBT系列产品采用先进的载流子控制技术，使得器件在获得更低功率损耗的同时还具有更强的雪崩耐量和短路电流耐量，对比上一代产品，新一代FS IGBT系列产品的短路电流耐量提升50%，达到业内领先水平。
NCE20ED135T引脚图/引脚功能
NCE20ED135T典型应用电路图
NCE20ED135T应用领域
● 感应加热
● 软开关应用
● 感应加热、微波炉、变频器、UPS等
● 软切换应用程序
