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4N65-E

【品牌】:UTC

【单价】:请询价

【库存交期】:4~6周

【最小起订量】:1个

【封装】:TO-220/TO-220F/TO-220F2/TO-251/TO-252

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制造商: 台湾友顺科技集团公司 标准包装数: 2000
封装: TO-220/TO-220F/TO-220F2/TO-251/TO-252 包装:
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: 4A,650V N沟道功率MOSFET

4N65-E参数


 
  制造商
  台湾友顺科技集团公司
   产品种类
   4A,650V N沟道功率MOSFET
  产品特性
  快速开关能力、改进的dv / dt能力,高耐用性
   电压VDSS
   650V
  电流ID
   4A
  电流IDM
   16A
  工作温度
  -55°C~ +150°C
  封装
   TO220/TO220F/TO251/TO252/TO262/DFN8
  替换型号
   /


4N65-E概述


 

4N65-E是UTC一款高电压功率MOSFET设计有更好的特性,如快速切换时间,低栅收费,低通态电阻,具有较高的坚固雪崩特性。这个功率MOSFET通常在高速使用开关应用包括电源,电机PWM控制,高效率的DC到DC转换器和桥接电路。
 

4N65-E引脚图/引脚功能


 
UTC  4N65-E引脚图/引脚功能

 

4N65-E典型应用电路图


UTC 4N65-E典型应用电路图
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