NCE80R1K2F参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
800V SJ-MOS Ⅱ |
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漏源极击穿电压（最大） |
800V |
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连续漏极电流（最大） |
5A |
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功率耗散（最大） |
31.5W |
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栅源极击穿电压 |
30V |
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漏源导通电阻（典型值）(10V) |
1000mΩ |
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漏源导通电阻最大(10V) |
1200mΩ |
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封装 |
TO220F |
