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NCE75H21B

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:3000

【封装】:TO220

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制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 3000
封装: TO220 包装: 管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道增强型功率MOSFET

NCE75H21B参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

75V

连续漏极电流(最大)

210A

功率耗散(最大)

310W

栅源极击穿电压

20V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

3.8mΩ

封装

TO220


NCE75H21B概述


该NCE75H21B采用先进的沟槽技术和设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。


NCE75H21B引脚图/引脚功能


新洁能NCE75H21B引脚图/引脚功能

NCE75H21B典型应用电路图


新洁能NCE75H21B典型应用电路图

应用领域


•  电源开关的应用
•  硬开关和高频电路
•  不间断电源供应

NCE75H21B典型效率曲线


新洁能NCE75H21B典型效率曲线

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