UM6K1N参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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N硅沟道MOSFET
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产品特性
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高开关速度、低栅极阈值电压
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电压VDSS
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30V
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电流ID
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0.1A
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电流IDM
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0.2A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOT-363
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替换型号
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/
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UM6K1N概述
该UTC UM6K1N是硅的N沟道MOSFET。它使用UTC的先进技术，为客户提供一个最低导通电阻，高开关速度和低栅极阈值电压。该UTC UM6K1N适用于开关和接口应用程序。
UM6K1N引脚图/引脚功能
UM6K1N典型应用电路图
